一远近的含义是什么？
需要记住的第一点是，任何电磁波都有阻抗，即波阻抗。波阻抗Zw等于波的电场（V/m）和磁场（A/m）之比，因此Zw=E/H。请注意，V/m除以A/m等于欧姆。
如果测量信号在电场中为10V/m，在磁场中为0.04A/m，则波的阻抗为250欧姆的Zw波。
高阻抗波具有高E值和低H值，而低阻抗波具有低E值和高H值（注意使用电路理论方法时的等效点：高电压和低电流的电路是高阻抗电路，低电压和高电流的电路就是低阻抗电路）。

另一件需要考虑的事情是，电场和磁场随着距离源越来越远而减弱。因此，在离开图1中的电路时，电（E）和磁（H）振幅都会降低。
E和H越靠近信号的原点越大。当E和H远离电路时，它们衰减1/x、1/x2或1/x3，其中x是距离源的距离。
值得注意的是，只有辐射信号才能离开电路很长一段距离（当电路有需要或不需要天线时）。其他信号将围绕电路的部件，不会被辐射。

二E与H（波阻抗）的比值是多少？当远离或靠近信号源时
波阻抗Zw=E/H如图2所示，假设电路位于点X=0。当你远离电路时（即d>）测量E和H之间的比率时，你会得到Zo=377，这是ar场中的波阻抗。
所以，如果你知道远场中电场的振幅，你就可以很容易地确定磁场的振幅。因为E和H在远场中都减少了1/x，所以随着距离的增加，该比率保持不变。

在这种情况下，你将无法判断信号源是低阻抗电路（即环路）还是高阻抗电路（如开路）。在远场，你会收到一个平面波，我们用天线接收到它

想想你离终点线有点近了。E/H比约为377欧姆，但随着距离接近/6（d/=0.16），E/H比将从Zo值增长或下降。

波阻抗的值将接近于形成信号的电路的阻抗。例如，如果信号是由作为回路的低阻抗电路产生的（高电流-低电压），当你靠近电路时，Zw将从377欧姆降低。如果信号是由高阻抗电路产生的开路（高电压-低电流），当你靠近电路时，Zw将从377欧姆上升。

这是因为我们在近场中使用近场磁或电探针而不是天线。

比方说250MHz的电路存在辐射问题/6对于这个频率是20厘米。如果你在5米处测量/接收到信号，你就在远处。如果你在5厘米处测量/接收信号，你就在近场了
重要的是要记住远场和近场值是相关的；然而，如果你在近场测量信号，你可能无法在远场检测到它们，因为它们无法被辐射（它们存储在你测量的区域，但没有某种天线将信号发送到远场）。

三近场测试和远场测试之间有什么区别？
近场：以场源为中心的三个波长区域。电场的强度和磁场的强度在近场中没有定义的比例关系。
确切地说是E 377H。在典型条件下，对于具有高电压和小电流的场源（如发射天线、馈线等），电场明显大于磁场。对于具有低电压和高电流的场源（例如一些感应加热设备的模具），磁场必须大大大于电场。
近场的电磁场强度明显高于远场的电磁场。在这种情况下，电磁保护的重点应该放在近场。近场电磁场强度随距离变化很快，并且非该空间的不均匀性是显著的。
远场是存在于场源外部的三波长半径场。所有的电磁能都以电磁波的形式在远处的场中辐射和传播，并且这个场的辐射强度的衰减明显慢于感应场的衰减。
电场强度和磁场强度在远场中有以下关系：在国际单位制中，电场和磁场相互垂直，E=377H，并且两者都垂直于电磁波的传播路径。远场的电磁场强度非常小，因为它是一个弱场。

四近场测量需要什么样的探头？
探针是不同尺寸的近场探针，用于检测各种H场或磁场强度，我想许多电气工程师一定使用过它们。
这些探针仅用于最极端的情况，例如在法规遵从性之前进行调试和故障排除。来观察一下探针是如何在附近测量的-
将EMC探头连接到示波器，然后将线圈设置在PCB中，并在观察示波器上的波形的同时移动线圈位置，以跟踪问题组件或PCB上的轨迹。
磁场方向由图5中的探针检测。当我们改变磁环的方向时，示波器上的波形也会改变，因为穿过磁环的磁通量也会改变。

五什么时候使用近场？
我们都必须明白，我们发送给测试机构的标准测试都是在远场进行的，如果远场测试失败，将使用图5中所示的方法来跟踪PCB上超过标准的组件。当然，你可以提前扫描自己的电路板，看看是否有任何问题，比如辐射过大。

现在让我们来谈谈近场和远场，以及它们与电磁辐射的关系。磁场可能像这样在z轴上向上移动，H场是90度，所以它们实际上朝着不同的方向移动，如图6所示，图6显示了传统的电学。当然，我们也可以看到波长，如图6所示。这个可爱的小动画只是为了展示它是如何工作的，因为它会立即进入我们真正需要观察的东西，即波阻抗。
对电场不敏感的探针；你可以在PCB上的任何方向移动它，示波器上的波形都不会改变，因为没有磁场耦合；这只是纯电场耦合，这只是纯距离